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硅碳棒中CN的綜合作用結果

    #硅碳棒樣品(全長36ram)、#硅碳棒樣品(1部52二)及3#硅碳棒樣品(全一長$7mie]的抗彎強度沿軸向的分布分別示于l-3中。圖中橫座標為距錠首或錠尾距離,左側縱坐標分別為O,N,C濃度,右側縱坐標為抗彎強度值。從這三張圖可看出,含氮C-Si從錠首到錠尾,氧含量變化從大到小,而N,C含量是從小到大?箯潖姸葟男〉酱,與氧的變化相反而與I,C的變化趨勢一致,錠首及中部變化平緩,在接近尾部30^-3功m范圍內強度急劇增高。
    氫氣氛下拉制的單晶硅(硅碳棒)的強度,從錠首到錠尾鉛軸向由大到小,與錠中氧濃度變化方向一致,如圖4所示。這一現象被認為是由氧對位錯的釘扎作用所致>>s)硅碳棒中氧的軸向分布與硅碳棒致,而氮濃度在晶錠中頭部低尾部高,且在錠尾出現氮含量急劇上升,這是由于在晶體生長過程中,氣相中氮與熔硅化學反應及分凝的雙重作用所致。硅碳棒中C.N的綜合作用結果,使晶體中強度分布發生了與硅碳棒強度分布相反的變化,由原來與氧分布變化方向一致變為與之相反,而與氮分布變化一致,頭低尾高,且在錠尾氮濃度急劇上升部分強度也明顯急劇上升。此現象說明,含量在10'Scrn-3數量級的氮在硅中所具有的位錯釘扎能力比含量為ZU二一“數量級的氧更強。www.gsqho78.top

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