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直拉硅碳棒軸向機械強度分布

    用淚試抗7度的方法側定了氣氛下直拉硅碳棒軸向機械強度分布。與紅外分析:N果比較表叼,含氮C31中1-N對7濃度對硅碳棒強度分布起著比間隙氧更重要的作用,碳濃度達zcm時,對硅碳棒強度無顯著影響。在含氧的C-Si中,由于氧聚集在位錯的周圍,釘札了位錯,從而比氫氣氛下區熔硅的機械強度明顯優越C1幻,摻氟的區熔硅因氮的強釘札位錯能力而使其力學性能得到改善。我國在氮氣氛下拉制的C-Si已成功地用于大功率晶體管生產當O、N同時存在時,它們對單晶硅機械強度的影響關系所見推道很少。本工作通過側試抗彎強度,測定了含氮cZ-s至硅碳棒軸向機械強度的分布,結合付里葉紅外光譜分祈討論了間隙氧、K-n;對及碳濃度變化:對機械性能的影響。含氮cz-s由浙江大學半導體研究所提供,主要參數列于表Ia在單晶硅碳棒不同部位取樣,硅碳棒切成厚mm、長3flmmw寬mm的條狀。經研磨后,化學拋光成鏡面,用三點彎法在拉力機上進行力學性能測試,按下列公式計算抗彎強度式中口為抗彎強度nmP為硅碳棒脆斷時的正壓力,為下刀口跨距mm戶為硅碳棒寬度,rnm五為硅碳棒厚度,m們。每組硅碳棒約高純硅及硅烷國家實驗室基金資助項目個,取其算術平均值為該組硅碳棒抗彎強度值。厚mrn的硅片經化學拋光至鏡面后,在IicoIet-?OOFTIR儀上測定1V,O,C含量。用同樣厚度的真空區熔硅片做參比樣,分辨率4crn,掃描次數100次〔N:=1.83xI0cm-s實際上,由于IV.U的相互作用,T-Si中氮含量大于(2)式計算值。www.gsqho78.top

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